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納微(Navitas)半導體近日宣布推出迄今為止世界上最小的65WUSB-PD(Type-C)電源適配器參考設計。相比傳統硅IC，這種高頻、高效的AllGaN功率IC可縮小變壓器、濾波器和散熱器的尺寸、減輕重量和降低成本。傳統基于硅類功率器件的設計需要98-115cc(或6-7in3)和300g重量，但基于AllGaN功率IC的65W新設計體積僅為45cc(或2.7in3)，而重量僅為60g。mNqEETC-電子工程專輯納微半導體銷售和營銷副總裁StephenOliver表示，速率與效率是電源設計中兩個至關重要的參數。高開關速度可實現小體積、低成本和更快速充電，高效率則節省能源，但通過硅或分立GaN功率器件，卻往往只能實現其中一個目標，要想兩者得兼，GaN功率IC將成為必備之選。mNqEETC-電子工程專輯而從功率電子的發展來看，從1975年線性穩壓器到1985年開關穩壓器發展的十年間，效率從40%提升至80%，提升約5倍；然而從1985年到2015年，30年間器件尺寸和效率都沒有得到明顯提升；隨著GaN功率IC的誕生，預計在未來十年，功率器件的尺寸將減少3-5倍左右，效率也將提升到95-99%，整個電源行業將因此得到極大的改變。mNqEETC-電子工程專輯納微此番推出了兩種GaN功率IC：單片集成和半橋型，前者在單芯片中集成了GaNFET(范圍110-560m?)、GaN驅動器和GaN邏輯；后者則采用6x8mmQFN封裝，包括2xGaNFET(非對稱對稱范圍110-560m?)、2xGaN驅動器和GaN邏輯(電平-轉移、導引、UVLO、擊穿、ESD)。mNqEETC-電子工程專輯納微共同創始人兼首席執行官GeneSheridan稱，由于其他GaN需要許多元器件，產生復雜的電路，包括隔離電源、隔離驅動、穩壓器等，而ALLGaN將除控制芯片以為的多個元器件做了集成，將復雜的電路簡單化，易于使用。以此次推出的ALLGaN功率IC為例，它可提供高達40MHz開關速度、密度高達5倍，與硅驅動的GaN功率IC相比，其結構簡單，系統成本可降低20%。mNqEETC-電子工程專輯史上最小65WUSB-PD適配器mNqEETC-電子工程專輯用GaN功率IC設計的65W參考設計NVE028A采用有源鉗位反激(ACF)拓撲結構，開關速度比典型的轉換器設計快了3至4倍，損耗降低40%，從而實現了更小的尺寸(51x43x20.5mm)、突破性的功率密度(1.5Wcc,24Win3)和更低的成本，也完全符合歐盟CoCTier2及美國能源部6級(DoEVI)所規范的能效標準，更可在滿負載下實現超過94%的最高尖峰效率。NVE028A相比先前同級最佳產品減小50%mNqEETC-電子工程專輯65W參考設計NVE028A可在滿負載下實現超過94%的最高尖峰效率mNqEETC-電子工程專輯無需散熱片即可滿足客戶外殼≤50℃的規范要求mNqEETC-電子工程專輯GeneSheridan就晶圓廠產能向用戶做出了承諾。他強調說，由于采用了GaN-on-Si晶圓的標準CMOS，使得GaNepi反應器只需6個月的交貨時間。而在封裝產能方面，則是采用標準工藝及設備的QFN封裝，高速最終測試儀只需3個月的交貨時間。mNqEETC-電子工程專輯本文為《電子工程專輯》原創，版權所有，轉載請注明出處并附鏈接mNqEETC-電子工程專輯關注最前沿的電子設計資訊，請關注“電子工程專輯微信公眾號”。mNqEETC-電子工程專輯mNqEETC-電子工程專輯

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